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DGAP-News: Elmos Semiconductor AG
/ Schlagwort(e): Kooperation
04.03.2020 / 13:17
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Die Elmos Semiconductor AG (FSE: ELG) hat einen Kooperationsvertrag mit Samsung Electronics unterzeichnet. Die Vereinbarung umfasst die Herstellung von ICs auf Wafer-Ebene für Automobilanwendungen in der Fertigung von Samsung. Durch diese Vereinbarung gewinnt Samsung Electronics einen anerkannten Partner, um die automobilen Foundry-Fähigkeiten strategisch weiterzuentwickeln. Elmos erhält einen namhaften Partner, um die Fablite-Fertigungsstrategie weiter zu stärken und Zugang zu State-of-the-Art Prozesstechnologien zu erhalten.
„Die Kooperation mit Samsung Electronics ist ein wichtiger Schritt in unserer Fablite-Fertigungsstrategie. Samsungs fortschrittliche, für den Automobilbereich qualifizierte 130-nm-BCD-Plattform, einschließlich einer embedded Flash-Lösung, ist eine herausragende Prozesstechnologie. Diese eröffnet neue Möglichkeiten für unsere Halbleiterentwicklung", sagt Dr. Jan Dienstuhl, CSO von Elmos.
„Europa ist für Produkte mit einem herausragenden Qualitätsniveau weltweit bekannt, insbesondere im Bereich der automobilen Halbleiter. Ein darin führendes Unternehmen hier in Europa als Partner zu gewinnen, ist eine Ehre und eine Herausforderung zugleich", sagt Shawn Han, Senior Vice President des Foundry Marketing Teams bei Samsung Electronics.
Über die Elmos Semiconductor AG
Elmos entwickelt, produziert und vertreibt Halbleiter und Sensoren vornehmlich für den Einsatz im Auto. Unsere Bausteine kommunizieren, messen, regeln sowie steuern Sicherheits-, Komfort-, Antriebs- und Netzwerkfunktionen. Seit über 30 Jahren ermöglichen Elmos-Innovationen neue Funktionen und machen die Mobilität weltweit sicherer, komfortabler und energieeffizienter.
Kontakt
Elmos Semiconductor AG
Janina Rosenbaum, Leiterin Investor Relations, Tel: +49231?7549?287
Mathias Kukla, Pressesprecher, Tel: +49231?7549?199
Email: invest@elmos.com
04.03.2020 Veröffentlichung einer Corporate News/Finanznachricht, übermittelt durch DGAP - ein Service der EQS Group AG.
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